SI2320DS-T1

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

SI2320DS-T1 datasheet

• Маркировка
  SI2320DS-T1
• Производитель
  Siliconix
• Описание
  Siliconix SI2320DS-T1 Configuration: Single Continuous Drain Current: 0.22 A Drain-source Breakdown Voltage: 200 V Factory Pack Quantity: 3000 Fall Time: 9 ns Gate-source Breakdown Voltage: +/- 20 V Maximum Operating Temperature: + 150 C Minimum Operating Temperature: - 55 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-236-3 Power Dissipation: 750 mW Resistance Drain-source Rds (on): 7000 mOhms Rise Time: 9 ns Transistor Polarity: N-Channel Typical Turn-off Delay Time: 9 ns
• Количество страниц
  5 шт.
• Форматы файла
  HTML, PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)

Скачать datasheet SI2320DS-T1.pdf
Файл формата Pdf 74,76 KB